SEMPrep2

Электронная микроскопия
  • Модель: SEMPrep2
Есть в наличии
  • 0 тг
Описание
Читать все характеристики
Оставить заявку Заказать звонок

Установка финальной полировки образцов для СЭМ методом плоскопараллельного широкого пучка ионов аргона Technoorg Linda SEMPrep2.

Модель SEMPrep2 SC-2100 предназначена для финальной полировки методом травления широким плоскопараллельным пучком ионов аргона с целью получению бездефектной поверхности широкого круга твердых материалов, что в настоящее время наиболее востребовано для EBSD исследований. Установка SEMPrep2 оборудована одновременно как высокоэнергетической ионной пушкой, так и ионной пушкой низкой энергии. Наличие двух типов ионных источников необходимо для гарантированного покрытия диапазонов низкой и высокой энергии от 100 эВ до 16 кэВ. Конструкции каждой из пушек существенно отличаются вследствие различия физических принципов формирования направленного потока ионов Ar+ с разными ускоряющими напряжениями и механизму их взаимодействия с поверхностью образца. Запатентованная пушка низкой энергии гарантированно формирует широкий поток ионов аргона с энергией в диапазоне от 100 эВ до 2 кэВ с возможностью полировки и очистки поверхности в рамках прецизионной пробоподготовки для EBSD и TKD методов. Низкая энергия ионов позволяет снизить эффекты деградации, термических деформации и фазовых преобразования тонких структур на изучаемой поверхности. Пушка высокой энергии от 2 до 16 кэВ создаёт плоскопараллельный поток ионов, что позволяет достигнуть высокой скорости распыления материала образца без существенного прогрева обрабатываемой поверхности.

Конструкция дополнительных держателей образцов открывает широкие возможности выполнения точного и аккуратного наклонного среза (30°, 45° и 90°) выбранной области (включения, частицы) на поверхности образца. Данная геометрия поперечного сечения чрезвычайно удобна и эффективна для подготовки негомогенных образцов с фазами разной твердости, анализа отказов в микроэлектронике, изучению полупроводниковых наноструктур и многослойных покрытий, композитных материалов и керамик, полимеров, стекол и многих других типов материалов. Выбор угла держателя, в первую очередь, определяется задачей эксперимента и удобством дальнейшего анализа: выбор 30° определяет наибольшую скорость травления материала, 45° даёт удобство дальнейшего расчёта линейных размеров на срезе без применения дополнительных геометрических преобразований, а срез под 90° чрезвычайно удобен для создания поперечного сечения различных волокон или получения поперечного сечения по аналогии с методом сфокусированного ионного пучка FIB-SEM. Метод наклонного сечения также позволяет получить высококачественные поверхности любых пористых материалов, поскольку только при использовании этой методики поры остаются чистыми и открытыми для дальнейшего анализа в СЭМ.