Установка для подготовки тонких образцов методом травления плоскопараллельным широким пучком ионов аргона UniMill IV7.
Полностью автоматизированная система ионного травления UniMill IV7 предназначена для подготовки тонких образцов, финальной полировки, ионной очистки и улучшению качества поверхности образцов для TEM, HRTEM, XTEM, STEM и TDK. Кроме того, система может быть использована для финальной очистки тонких ламелей (фольг), изготовленных методом сфокусированного ионного пучка FIB-SEB. Данная установка специально разработана для быстрой и качественной пробоподготовки тонких образцов с начальной толщиной от 30 до 200 мкм, которые предварительно были утонены с помощью механической пробоподготовки. Полная автоматизация процесса работы прибора позволяет достигать высокого качества обработки без дополнительного участия оператора. Современное программное обеспечение открывает возможностью сервисной поддержки через Интернет on-line.
Установка UniMill IV7 оборудована одновременно как высокоэнергетической ионной пушкой, так и ионной пушкой низкой энергии. Наличие двух типов ионных источников необходимо для перекрытия широкого диапазона рабочей энергии пучка от 100 эВ до 16 кэВ. Конструкции каждой из пушек существенно отличаются вследствие различия физических принципов формирования направленного потока ионов Ar+ с разными ускоряющими напряжениями и механизму их взаимодействия с поверхностью образца. Пушка высокой энергии от 2 до 16 кэВ позволяет достигнуть высокой скорости распыления материалов даже высокой твёрдости, таких как алмаз или сапфир. Остановка процесса травления на основе оптических данных CMOS камеры высокого разрешения позволяет максимально точно определить момент появления сквозного отверстия.
Искусство ионной обработки поверхности от компании Technoorg Linda основано на использовании запатентованной ионной пушки низкой энергии на основе горячего катода. Эта конструкция гарантированно формирует широкий поток ионов аргона с энергией в диапазоне от 100 эВ до 2 кэВ, что обеспечивает возможностью полировки и очистки поверхности в рамках деликатной пробоподготовки для TEM, HRTEM, XTEM, STEM и TKD методов. Применение предельно малого значения тока ионного пучка гарантирует минимальный эффект от ионной имплантации и обеспечивает бездефектную полировку обрабатываемой поверхности, что позволяет изучать наноструктуры, как синтезированные, так и природного происхождения в применении ко всем областям современной науки и материаловедения.
Особенная конструкция ионного источника обеспечивает высокую плотность тока ионного пучка. Все параметры ионной пушки, такие как ускоряющее напряжение и ток катода, автоматически контролируются цифровой системой с обратной связью. Тем не менее, в случае необходимости, все они могут быть изменены в ручном режиме непосредственно в процессе работы прибора. Начальные значения рабочих параметров ионной пушки, выставляемые автоматически или в ручном режиме, напрямую отображаются на экране ПК управления в виде понятного и доступного графического интерфейса. Ключевые параметры ионного травления, такие как настройки ионного источника, контроль подачи рабочего газа, контроль движения и наклона образца и другие могут быть перепрограммированы и сохранены в памяти, по усмотрению оператора, для последующего точного воспроизведения всего рецепта пробоподготовки.
